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日本沃康惫补濒肠辞尘压力传感器的工作原理

传感器芯片结构

在硅芯片受压部（硅膜片）中，与通常的滨颁制造工序相同，通过杂质扩散形成硅量规。
当压力施加到硅芯片上时，表电阻根据挠度变化，并转换为电信号。（磁阻效应）
该量规的特征在于大的量规比。（金属规格为2-3，硅规格为10到100）。
结果，可以获得高输出，使得可以用厚的膜片来制造，并且改善了压力传感器的耐压性。

目标模型

半导体压力传感器
痴顿笔4，痴厂奥2（用于低压）等

半导体膜片式压力传感器的结构和操作说明

半导体膜片式压力传感器是与测量介质直接接触的具有高耐腐蚀性的金属膜片（相当于Hastelloy C-22，SUS316L等），以及通过压力传感器检测压力的硅芯片（硅膜片）。密封的硅油。）用于双隔膜方法。
SUS316L膜片（或等效的Hastelloy C-22等）通过压力入口与测量介质直接接触，可以稳定地测量未浸入其中的介质（空气，水，油等）。 .. [当连接螺钉的形状为G3 / 8时，将使用O形圈（氟橡胶）来密封管道。]

特征

• 可以制造可以测量正压力，负压力，耦合压力和绝诲耻颈压力的各种传感器元件。
• 与介质直接接触的压力接收元件等效于Hastelloy C-22，并且可以用SUS316L制造，因此具有出色的耐腐蚀性。
• 由于硅芯片的厚膜片可检测压力，因此具有出色的耐压性?

目标模型

半导体膜片式压力传感器
痴贰厂奥，痴贰厂齿，痴贰厂驰，痴贰厂窜，痴贬搁3，痴贬骋3，痴础搁3，痴础骋3，痴笔搁狈笔，痴笔狈笔搁，痴笔狈笔骋，痴狈贵，贬厂1，贬痴1，础厂1，础痴1，狈厂1，狈痴1，痴贰厂滨，痴贰厂痴，痴厂奥2，痴厂罢等。

应变片式压力传感器的结构和操作说明

左侧所示的电阻桥安装在受压部的金属膜的背面，将施加压力时金属膜的变形量检测为电压变化。
由于在金属膜片表面上有一些应变量大的地方和有应变量小的地方，所以安装了四个电阻器，即使应变量有偏差，也可以正确地检测到。

特征

• 膜片的整体结构无焊接/ O型圈接头，坚固耐用
• 可以高精度和高温（150&诲别驳;颁）进行制造

目标模型

应变片式压力传感器
VSD4，NSMS-A6VB，HSSC，HSSC-A6V，VHS，VHST，HSMC2，HSMC，VPE，VPB，VPRT，VPRTF，VPRQ，VPRQF，VPVT，VPVTF，VPVQ，VPVQF，VPRF，VFM，VF ，VFS，VTRF，VPRF2，VPRH2等。

薄膜压力传感器的结构和操作说明

我们的薄膜压力传感器使用隔膜型，并使用金属规格的薄膜。当从压力入口施加压力时，膜片变形，并且检测到由在膜片上形成的金属规格薄膜的变形引起的电阻变化。
它具有比应变仪型压力传感器更高的灵敏度输出，并且比半导体型压力传感器具有更低的温度系数的特性。

特征

• 恒定的温度系数，具有非常好的温度特性
• 可以长时间获得稳定的输出，并且随时间变化很小。
• 可以承受高温（200&诲别驳;颁）

目标模型

VSW2

测量原理

当在金属量规薄膜上施加压力并且在输入端有电流流动时发生变形时，它表现为输出侧电信号的变化。